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ディスクリート半導体製品(DigiKey)

検索結果 128,178件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):580mV @ 200mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
    64.92 税込¥71.41
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時の
    101.50 税込¥111.65
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:1.5A・電圧:500V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,202.36 税込¥1,322.59
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時
    20.91 税込¥23.00
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:-・構造:直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数:2 SCRs・電圧 - オフ状態:1.4kV・電流 - オン状態(It(AV))(最大):116A・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):180A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):2.5V・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):150mA・電流
    5,459.10 税込¥6,005.01
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:2A・電圧:500V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,479.55 税込¥1,627.50
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:1.2A・電圧:500V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,139.75 税込¥1,253.72
  • メーカー名:
    Skyworks Solutions Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・Vr、F印加時の静電容量:2pF @ 6V、50MHz・静電容量比:3.4・静電容量比条件:C1/C6・電圧 - ピーク逆方向(最大):15V・ダイオードタイプ:シングル・Vr、F印加時のQ:-・動作温度:-55°C~125°C(TJ)・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:SC-79、SOD-52
    185.72 税込¥204.29
  • メーカー名:
    MACOM Technology Solutions
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:PIN - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):500V・電流 - 最大:-・Vr、F印加時の静電容量:0.5pF @ 100V、1MHz・If、F印加時の抵抗:600ミリオーム @ 100mA、100MHz・電力散逸(最大):7.5W・動作温度:-65°C~175°C(TJ)・パ
    1,028.21 税込¥1,131.03
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100
    464.39 税込¥510.82
  • メーカー名:
    Diodes Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40V・電流 - 平均整流(Io):400mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500mV @ 400mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の
    79.11 税込¥87.02
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・抵抗 - ベース(R1):2.2 kOhms・抵抗 - エミッタベース(R2):2.2 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):
    73.14 税込¥80.45
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN、PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):30V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.4V @ 30mA、300mA・電流 - コレクタ遮断(最大):30nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hF
    77.62 税込¥85.38
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):22A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオーム @ 5A
    92.54 税込¥101.79
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):800V・電流 - 平均整流(Io):1.2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):920mV @ 1.2A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):18µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:
    97.02 税込¥106.72
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:アバランチ・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1V @ 3A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):7.5µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1µA
    192.86 税込¥212.14
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):32V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
    88.06 税込¥96.86
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    最小145個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:-・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):125V・電流 - 平均整流(Io):300mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1V @ 200mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):4.5ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500nA
    750.28 税込¥825.30
  • メーカー名:
    WeEn Semiconductors Co. Ltd
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・トライアックタイプ:ロジック - 高感度ゲート・電圧 - オフ状態:600V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):16A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.5V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):155A、170A・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):10mA・電流 -
    180.00 税込¥198.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):850ミリオーム @ 2.8A、10V・Id印加時のVg
    482.20 税込¥530.42
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):66ミリオーム
    208.58 税込¥229.43
  • メーカー名:
    Littelfuse Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - オフ状態:200V・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):800mV・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):200µA・電圧 - オン状態(Vtm)(最大):1.7V・電流 - オン状態(It(AV))(最大):-・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):800mA・電流 - ホー
    102.99 税込¥113.28
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100
    464.39 税込¥510.82
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:PowerMESH™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9オーム @ 1.3A、10V・Id
    774.67 税込¥852.13
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ(Ic)(最大):600mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):20V・抵抗 - ベース(R1):4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース(R2):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):820 @ 50
    70.15 税込¥77.16
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 2.2A、10
    86.57 税込¥95.22
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):13A(Ta)、30A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 2
    89.56 税込¥98.51
  • メーカー名:
    Comchip Technology
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:Single Phase・技術:ショットキー・電圧 - ピーク逆方向(最大):40V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):440mV @ 1A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500µA @ 40V・動作温度:-55°C~125°C(TJ)・
    275.72 税込¥303.29
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30V・電流 - 平均整流(Io):100mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500mV @ 100mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
    63.16 税込¥69.47
  • メーカー名:
    Diodes Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10
    85.08 税込¥93.58
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印
    242.86 税込¥267.14
  • メーカー名:
    Diodes Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル2個およびPチャンネル2個(Hブリッジ)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A、4.2A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    167.15 税込¥183.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
    79.11 税込¥87.02
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):700V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 1.6A、4.5A・電流 - コレクタ遮断(最大):200µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10 @ 100mA、5V
    526.03 税込¥578.63
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:Automotive, AEC-Q101・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1V @ 200mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流
    86.57 税込¥95.22
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):20V・電流 - 平均整流(Io):1.5A(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):660mV @ 1.5A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方
    77.62 税込¥85.38
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 40A、10V・
    270.00 税込¥297.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 1.7A、10V・
    308.58 税込¥339.43
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):150mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:500mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):150mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
    86.57 税込¥95.22
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSIII・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):28ミリオーム @ 3
    94.03 税込¥103.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2mA @ 15V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500mV @ 1µA・V
    92.54 税込¥101.79
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
    89.56 税込¥98.51
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30V・電流 - 平均整流(Io):5A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):540mV @ 5A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:100µ
    92.54 税込¥101.79
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:STripFET™ F7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):130A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.5ミリオーム @
    337.15 税込¥370.86
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):200ミリオーム @ 11A、10V・Id印
    475.35 税込¥522.88
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30V・電流 - 平均整流(Io):1A(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):560mV @ 1A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:
    64.18 税込¥70.59
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):14A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):400ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVgs
    554.67 税込¥610.13
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30V・電流 - 平均整流(Io):200mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1V @ 200mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):5ns・電流 - Vr印加時の逆方
    71.65 税込¥78.81
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):10V・電流 - 平均整流(Io):100mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500mV @ 100mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
    47.37 税込¥52.10
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