磁気 - トランンス、インダクタコンポーネント（DigiKey）

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・コアタイプ：PLT・サプライヤデバイスパッケージ：PLT 64 x 50 x 5・材料：3F36・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：-・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア断面（Amin

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・コアタイプ：E・サプライヤデバイスパッケージ：E 58 x 11 x 38・材料：3F36・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：-・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア断面（Amin）mm

【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：I64/5/50・コアタイプ：I・サプライヤデバイスパッケージ：I 64 x 5 x 50・材料：N87・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：PQ26/20・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：PQ・サプライヤデバイスパッケージ：PQ 26 x 20

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：E42/21/15・コアタイプ：E・サプライヤデバイスパッケージ：E 42 x 21 x 15・材料：N87・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、水平・同時使用/関連製品：E・サプライヤデバイスパッケージ：E 55 x 28 x 21

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：ER11/2.5/6・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：ER・サプライヤデバイスパッケージ：ER 11 x 5

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：RM4・コアタイプ：RM・サプライヤデバイスパッケージ：RM 4・材料：N87・直径：-・インダクタファクタ（Al）：1.1µH・許容誤差：-20%、+30%・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：1480・初期透磁率（ui）：2200・コア係数（ΣI/A）mm1：1.7・実効長（le）mm：22・実効領域（Ae）mm2：

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：PQ32/20・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：PQ・サプライヤデバイスパッケージ：PQ 32 x 30、PQ 32 x 30

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：RM5・アクセサリタイプ：クランプ・同時使用/関連製品：RM・サプライヤデバイスパッケージ：RM 5

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：EFD25/13/9・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、水平・同時使用/関連製品：EFD・サプライヤデバイスパッケージ：EFD 25 x 13 x 9

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：ETD29/16/10・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、水平・同時使用/関連製品：ETD・サプライヤデバイスパッケージ：ETD 29 x 16 x 10

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：ETD29/16/10・コアタイプ：ETD・サプライヤデバイスパッケージ：ETD 29 x 16 x 10・材料：N27・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：T10/6/4・コアタイプ：トロイド・サプライヤデバイスパッケージ：R 10 x 6 x 4・材料：N30・直径：0.394インチ（10.00mm）・インダクタファクタ（Al）：1.76µH・許容誤差：±25%・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：4300・コア係数（ΣI/A）mm1：3.07・実

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：PCH14.4/7.5・コアタイプ：P（ポットコア）・サプライヤデバイスパッケージ：Pコアハーフ14 x 7.5・材料：N22・直径：0.567インチ（14.40mm）・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（l

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・コアタイプ：P（ポットコア）・サプライヤデバイスパッケージ：P 18 x 11・材料：3C91・直径：0.724インチ（18.40mm）・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：-・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・コアタイプ：P（ポットコア）・サプライヤデバイスパッケージ：P 14 x 8・材料：3C91・直径：0.563インチ（14.30mm）・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：-・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・コアタイプ：P（ポットコア）・サプライヤデバイスパッケージ：P 14 x 8・材料：3C91・直径：0.553インチ（14.05mm）・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：-・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：MHB2-1.4/3.6/2.1・コアタイプ：マルチホール（2）・サプライヤデバイスパッケージ：-・材料：N30・直径：-・インダクタファクタ（Al）：1.6µH・許容誤差：±30%・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：4300・コア係数（ΣI/A）mm1：3.22・実効長（le）mm：3.7・実

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：EFD10/5/3・コアタイプ：EFD・サプライヤデバイスパッケージ：EFD 10 x 5 x 3・材料：N87・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：P11/7・アクセサリタイプ：ヨーク・同時使用/関連製品：P・サプライヤデバイスパッケージ：P 11 x 7

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・コアタイプ：E・サプライヤデバイスパッケージ：E 58 x 11 x 38・材料：3F4・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：-・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア断面（Amin）mm2

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：P18/11・コアタイプ：P（ポットコア）・サプライヤデバイスパッケージ：P 18 x 11・材料：N30・直径：0.724インチ（18.40mm）・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：0.6・実効長（le）mm：25.

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：ETD29/16/10・コアタイプ：ETD・サプライヤデバイスパッケージ：ETD 29 x 16 x 10・材料：N97・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・コアタイプ：E・サプライヤデバイスパッケージ：E 22 x 6 x 16・材料：3F46・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：-・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア断面（Amin）mm2

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：PQ50/50・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：PQ・サプライヤデバイスパッケージ：PQ 50 x 50

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：PQ・サプライヤデバイスパッケージ：PQ 32 x 30

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：B65840・アクセサリタイプ：ヨーク・同時使用/関連製品：EP・サプライヤデバイスパッケージ：EP 7

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：ETD29/16/10・コアタイプ：ETD・サプライヤデバイスパッケージ：ETD 29 x 16 x 10・材料：N87・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：P7/4・アクセサリタイプ：ヨーク・同時使用/関連製品：P・サプライヤデバイスパッケージ：P 7 x 4

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：EP7・コアタイプ：EP・サプライヤデバイスパッケージ：EP 7・材料：N30・直径：-・インダクタファクタ（Al）：2µH・許容誤差：-20%、+30%・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：2430・初期透磁率（ui）：4300・コア係数（ΣI/A）mm1：1.52・実効長（le）mm：15.7・実効領域（Ae）mm2

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：EP7・コアタイプ：EP・サプライヤデバイスパッケージ：EP 7・材料：N87・直径：-・インダクタファクタ（Al）：1.1µH・許容誤差：-20%、+30%・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：1330・初期透磁率（ui）：2200・コア係数（ΣI/A）mm1：1.52・実効長（le）mm：15.7・実効領域（Ae）m

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：ETD34/17/11・コアタイプ：ETD・サプライヤデバイスパッケージ：ETD 34 x 17 x 11・材料：N87・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップあり・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：PQ・サプライヤデバイスパッケージ：PQ 32 x 30

【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：TX38/19/13・コアタイプ：トロイド・サプライヤデバイスパッケージ：-・材料：T38・直径：1.551インチ（39.40mm）・インダクタファクタ（Al）：17.6µH・許容誤差：±30%・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：10000・コア係数（ΣI/A）mm1：0.71・実効長（le

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：E16/8/5・コアタイプ：E・サプライヤデバイスパッケージ：E 16 x 8 x 5・材料：N27・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップあり・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア断面（A

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：E16/8/5・コアタイプ：E・サプライヤデバイスパッケージ：E 16 x 8 x 5・材料：N87・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップあり・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア断面（A

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：E16/8/5・コアタイプ：E・サプライヤデバイスパッケージ：E 16 x 8 x 5・材料：N27・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップあり・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア断面（A

【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：E16/8/5・コアタイプ：E・サプライヤデバイスパッケージ：E 16 x 8 x 5・材料：T46・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：ギャップなし・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア断面

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：B65855A・コアタイプ：EP・サプライヤデバイスパッケージ：EP 5・材料：T38・直径：-・インダクタファクタ（Al）：63nH・許容誤差：±8%・ギャップ：ギャップあり・実効透磁率（ue）：158・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：3.14・実効長（le）mm：9.73・実効領域（Ae）mm2：3.09

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：RM8・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：RM・サプライヤデバイスパッケージ：RM 8

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：RM8・コアタイプ：RM・サプライヤデバイスパッケージ：RM 8・材料：N48・直径：-・インダクタファクタ（Al）：400nH・許容誤差：±3%・ギャップ：ギャップあり・実効透磁率（ue）：215・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：0.68・実効長（le）mm：35.1・実効領域（Ae）mm2：52・最小コア

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：RM6・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：RM・サプライヤデバイスパッケージ：RM 6

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：RM6・コアタイプ：RM・サプライヤデバイスパッケージ：RM 6・材料：M33・直径：-・インダクタファクタ（Al）：100nH・許容誤差：±3%・ギャップ：ギャップあり・実効透磁率（ue）：68.5・初期透磁率（ui）：750・コア係数（ΣI/A）mm1：0.78・実効長（le）mm：28.6・実効領域（Ae）mm2：36.6

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：RM5・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：RM・サプライヤデバイスパッケージ：RM 5

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：RM5・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：RM・サプライヤデバイスパッケージ：RM 5

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：RM5・アクセサリタイプ：ボビン（コイル成形器）、垂直・同時使用/関連製品：RM・サプライヤデバイスパッケージ：RM 5

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：P18/11・コアタイプ：P（ポットコア）・サプライヤデバイスパッケージ：P 18 x 11・材料：N48・直径：0.724インチ（18.40mm）・インダクタファクタ（Al）：160nH・許容誤差：±3%・ギャップ：ギャップあり・実効透磁率（ue）：77・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：0.6・実効長（le

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：P36/22・コアタイプ：P（ポットコア）・サプライヤデバイスパッケージ：P 36 x 22・材料：N48・直径：1.417インチ（36.00mm）・インダクタファクタ（Al）：1µH・許容誤差：±3%・ギャップ：ギャップあり・実効透磁率（ue）：205・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：0.26・実効長（le

【仕様】・パッケージング：箱・シリーズ：B65495・コアタイプ：-・サプライヤデバイスパッケージ：-・材料：-・直径：-・インダクタファクタ（Al）：-・許容誤差：-・ギャップ：-・実効透磁率（ue）：-・初期透磁率（ui）：-・コア係数（ΣI/A）mm1：-・実効長（le）mm：-・実効領域（Ae）mm2：-・最小コア断面（Amin）mm2：-・実効磁気量（Ve）