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ディスクリート半導体製品（DigiKey）

検索結果 128,178件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【GP15J-E3/54】DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC

    【GP15J-E3/54】DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：SUPERECTIFIER®・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600V・電流 - 平均整流（Io）：1.5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1V @ 1.5A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：3.5µs・電流 -
    ￥125.38 税込￥137.91
  • 2

    【STW4N150】MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3

    【STW4N150】MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：PowerMESH™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：1500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：7オーム @ 2A、10V・Id印加時の
    ￥1,235.00 税込￥1,358.50
  • 3

    【6A6-TP】DIODE GEN PURP 600V 6A R6

    【6A6-TP】DIODE GEN PURP 600V 6A R6
    メーカー名：
    Micro Commercial Co
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600V・電流 - 平均整流（Io）：6A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：950mV @ 6A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10µA @
  • 4

    【RBR2MM40BTR】DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDU

    【RBR2MM40BTR】DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDU
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：560mV @ 2A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：80µA
  • 5

    【BTW68-800RG】SCR 800V 30A TOP3

    【BTW68-800RG】SCR 800V 30A TOP3
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・電圧 - オフ状態：800V・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.5V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：50mA・電圧 - オン状態（Vtm）（最大）：2.1V・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：19A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：30A・電流 - ホールド（Ih）（最大
    ￥1,260.00 税込￥1,386.00
  • 6

    【DSEI2X61-02A】DIODE MODULE 200V 71A SOT227B

    【DSEI2X61-02A】DIODE MODULE 200V 71A SOT227B
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：FRED・ダイオード構成：2独立・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：200V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：71A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.08V @ 60A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：50ns・電
    ￥2,726.14 税込￥2,998.75
  • 7

    【GI758-E3/54】DIODE GEN PURP 800V 6A P600

    【GI758-E3/54】DIODE GEN PURP 800V 6A P600
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：800V・電流 - 平均整流（Io）：6A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：950mV @ 6A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：2.5µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5µA
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 8

    【PD55015-E】FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

    【PD55015-E】FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：LDMOS・周波数：500MHz・ゲイン：14dB・電圧 - テスト：12.5V・定格電流（A）：5A・雑音指数：-・電流 - テスト：150mA・電源 - 出力：15W・電圧 - 定格：40V・パッケージ/ケース：PowerSO-10RF露出ボトムパッド（2成形リード）・サプライヤデバイスパッケー
    ￥2,915.91 税込￥3,207.50
  • 9

    【STPS200170TV1】DIODE MODULE 170V 100A ISOTOP

    【STPS200170TV1】DIODE MODULE 170V 100A ISOTOP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：170V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：830mV @ 100A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電
    ￥3,752.28 税込￥4,127.50
  • 10

    【1SS351-TB-E】RF DIODE SCHOTTKY 5V 3CP

    【1SS351-TB-E】RF DIODE SCHOTTKY 5V 3CP
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー - 1ペア直列接続・電圧 - ピーク逆方向（最大）：5V・電流 - 最大：30mA・Vr、F印加時の静電容量：0.9pF @ 0.2V、1MHz・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：-・動作温度：125°C（TJ）・パッケージ/ケース：TO-236-3、SC-59、
    ￥85.08 税込￥93.58
  • 11

    【VS-5ECH06-M3/9AT】DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

    【VS-5ECH06-M3/9AT】DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：FRED Pt®・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600V・電流 - 平均整流（Io）：5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.95V @ 5A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：23ns・電流 - Vr印加時の逆方向
    ￥172.86 税込￥190.14
  • 12

    【MCR08BT1G】SCR 200V 800MA SOT223

    【MCR08BT1G】SCR 200V 800MA SOT223
    メーカー名：
    Littelfuse Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - オフ状態：200V・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：800mV・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：200µA・電圧 - オン状態（Vtm）（最大）：1.7V・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：-・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：800mA・電流 - ホー
    ￥102.99 税込￥113.28
  • 13

    【1N5402G】DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

    【1N5402G】DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：200V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1V @ 3A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10µA @ 200V・Vr、F印加
    ￥86.57 税込￥95.22
  • 14

    【2SK209-BL(TE85L,F)】TRANS SJT N-CH 10MA SC59

    【2SK209-BL(TE85L,F)】TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：50V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：10mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：-・Vg
    ￥85.08 税込￥93.58
  • 15

    【IRFU9014PBF】MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA

    【IRFU9014PBF】MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.1A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs
    ￥281.43 税込￥309.57
  • 16

    【PMEG100V080ELPDAZ】DIODE SCHOTTKY 100V 8A CFP15 [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMEG100V080ELPDAZ】DIODE SCHOTTKY 100V 8A CFP15 [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：Automotive, AEC-Q101・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100V・電流 - 平均整流（Io）：8A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：850mV @ 8A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：10ns
    ￥126.87 税込￥139.55
  • 17

    【IRFP240PBF】MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3

    【IRFP240PBF】MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs（
    ￥475.35 税込￥522.88
  • 18

    【MSS2P2-M3/89A】DIODE SCHOTTKY 20V 2A MICROSMP

    【MSS2P2-M3/89A】DIODE SCHOTTKY 20V 2A MICROSMP
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：eSMP®・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：20V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：600mV @ 2A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：
    ￥71.65 税込￥78.81
  • 19

    【STN3N40K3】MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223

    【STN3N40K3】MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：SuperMESH3™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：400V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：1.8A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.4オーム @ 60
    ￥147.77 税込￥162.54
  • 20

    【IRFP9240PBF】MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3

    【IRFP9240PBF】MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：500ミリオーム @ 7.2A、10V・Id印加時のVgs
    ￥520.55 税込￥572.60
  • 21

    【1N4148W-7-F】DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD123

    【1N4148W-7-F】DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD123
    メーカー名：
    Diodes Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100V・電流 - 平均整流（Io）：300mA（DC）・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25V @ 150mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：4ns・電流 - Vr印加時の逆方
    ￥38.60 税込￥42.46
  • 22

    【1N5404RLG】DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

    【1N5404RLG】DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1V @ 3A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10µA @ 400
    ￥80.60 税込￥88.66
  • 23

    【ZTX560】TRANS PNP 500V 0.15A E-LINE

    【ZTX560】TRANS PNP 500V 0.15A E-LINE
    メーカー名：
    Diodes Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：150mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：500V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 10mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：80 @ 50m
    ￥120.90 税込￥132.99
  • 24

    【RR1LAM4STR】DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM

    【RR1LAM4STR】DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1V @ 1A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：10µA @ 4
    ￥79.11 税込￥87.02
  • 25

    【J111】JFET N-CH 35V 625MW TO92-3

    【J111】JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：35V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：20mA @ 15V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：3V @ 1µA・Vds印加時の入力静電
    ￥92.54 税込￥101.79
  • 26

    【MJ15016G】TRANS PNP 120V 15A TO204

    【MJ15016G】TRANS PNP 120V 15A TO204
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：15A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：120V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：5V @ 7A、15A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：10 @ 4A、2V・電力 -
    ￥1,017.11 税込￥1,118.82
  • 27

    【PMEG6020ETP,115】DIODE SCHOTTKY 60V 2A CFP5 [digi-reel品] DigiReel商品

    【PMEG6020ETP,115】DIODE SCHOTTKY 60V 2A CFP5 [digi-reel品]
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：530mV @ 2A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：8.6ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1
    ￥94.03 税込￥103.43
  • 28

    【BS250P】MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE

    【BS250P】MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
    メーカー名：
    Diodes Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：45V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：230mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：14オーム @ 200mA、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥167.15 税込￥183.86
  • 29

    【IRFD210PBF】MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

    【IRFD210PBF】MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：600mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.5オーム @ 360mA、10V・Id印加時のVg
    ￥255.72 税込￥281.29
  • 30

    【AON7406】MOSFET N-CH 30V 9A/25A 8DFN

    【AON7406】MOSFET N-CH 30V 9A/25A 8DFN
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：9A（Ta）、25A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17ミリオーム @ 9
    ￥88.06 税込￥96.86
  • 31

    【J111-D26Z】JFET N-CH 35V 625MW TO92

    【J111-D26Z】JFET N-CH 35V 625MW TO92
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：35V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：20mA @ 15V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：3V @ 1µA・Vds
    ￥77.62 税込￥85.38
  • 32

    【DTB114EKT146】TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

    【DTB114EKT146】TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・抵抗 - ベース（R1）：10 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：10 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：56
    ￥73.14 税込￥80.45
  • 33

    【BD681G】TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA

    【BD681G】TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：4A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：2.5V @ 30mA、1.5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：750
    ￥160.00 税込￥176.00
  • 34

    【1SS301,LF】DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM

    【1SS301,LF】DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオード構成：1組共通カソード・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：80V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.2V @ 100mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（t
    ￥47.37 税込￥52.10
  • 35

    【PMP4201Y,115】TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP

    【PMP4201Y,115】TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 NPN（デュアル）整合ペア・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：45V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：400mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のD
    ￥88.06 税込￥96.86
  • 36

    【J175-D26Z】JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3

    【J175-D26Z】JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）：30V・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）：7mA @ 15V・電流ドレイン（Id） - 最大：-・電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）：3V @ 10nA・Vds
    ￥83.59 税込￥91.94
  • 37

    【PBSS4140T,215】TRANS NPN 40V 1A SOT23

    【PBSS4140T,215】TRANS NPN 40V 1A SOT23
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：40V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：300 @
    ￥76.12 税込￥83.73
  • 38

    【FCX690BTA】TRANS NPN 45V 2A SOT-89

    【FCX690BTA】TRANS NPN 45V 2A SOT-89
    メーカー名：
    Diodes Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：2A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：45V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：300mV @ 5mA、1A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：4
    ￥102.99 税込￥113.28
  • 39

    【RE1C002UNTCL】MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F

    【RE1C002UNTCL】MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：200mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.2V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 100mA、
    ￥45.62 税込￥50.18
  • 40

    【NTD20P06LT4G】MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK

    【NTD20P06LT4G】MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：15.5A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 7.5A、5V・Id印
    ￥178.58 税込￥196.43
  • 41

    【BCP56T1G】TRANS NPN 80V 1A SOT223

    【BCP56T1G】TRANS NPN 80V 1A SOT223
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：80V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最
    ￥77.62 税込￥85.38
  • 42

    【STD20NF20】MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

    【STD20NF20】MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：STripFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：125ミリオーム @ 10A
    ￥340.00 税込￥374.00
  • 43

    【BTA20-600CWRG】TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB

    【BTA20-600CWRG】TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：Snubberless™・トライアックタイプ：オルタニスタ - スナバレス・電圧 - オフ状態：600V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：20A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.5V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：210A、200A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大
    ￥461.65 税込￥507.81
  • 44

    【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

    【SI4943BDY-T1-E3】MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：TrenchFET®・FETタイプ：2Pチャンネル（デュアル）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6.3A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 8.4A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：3
    ￥382.86 税込￥421.14
  • 45

    【BFU520WX】RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3

    【BFU520WX】RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
    メーカー名：
    NXP
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：Automotive, AEC-Q101・トランジスタタイプ：NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：12V・周波数 - トランジション：10GHz・雑音指数（fあたりの標準dB）：0.6dB @ 900MHz・ゲイン：18.5dB・電力 - 最大：450mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲ
    ￥76.12 税込￥83.73
  • 46

    【1N4454】DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

    【1N4454】DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：50V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1V @ 10mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：4ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100nA @ 50V・V
    ￥35.00 税込￥38.50
  • 47

    【TTC004B,Q】TRANS NPN 160V 1.5A TO126N

    【TTC004B,Q】TRANS NPN 160V 1.5A TO126N
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：1.5A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：160V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1
    ￥100.00 税込￥110.00
  • 48

    【AOD407】MOSFET P-CH 60V 12A TO252

    【AOD407】MOSFET P-CH 60V 12A TO252
    メーカー名：
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：115ミリオーム @ 12A、10V
    ￥125.38 税込￥137.91
  • 49

    【1SMB5953BT3G】DIODE ZENER 150V 3W SMB

    【1SMB5953BT3G】DIODE ZENER 150V 3W SMB
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：150V・許容誤差：±5%・電力 - 最大：3W・インピーダンス（最大）（Zzt）：600 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1µA @ 114V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.5V @ 200mA・動作温度：-65°C～150°C・取り付
    ￥76.12 税込￥83.73
  • 50

    【PMP5201Y,115】TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP

    【PMP5201Y,115】TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：2 PNP（デュアル）整合ペア・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：45V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：400mV @ 5mA、100mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：15nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のD
    ￥88.06 税込￥96.86
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